离子注入设备及方法
基本信息
| 申请号 | CN201710712869.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109148246A | 公开（公告）日 | 2019-01-04 |
| 申请公布号 | CN109148246A | 申请公布日 | 2019-01-04 |
| 分类号 | H01J37/317;H01J37/244;H01L21/265 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 何川;洪俊华;张劲;陈炯;杨勇 | 申请（专利权）人 | 上海临港凯世通半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海弼兴律师事务所 | 代理人 | 上海凯世通半导体股份有限公司;上海临港凯世通半导体有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区牛顿路200号7号楼单元1 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种离子注入设备及方法，该离子注入设备包括离子源、一与该真空腔相连通的加热腔体、一氢气供应装置，和偏转元件，用于从至少部分束流中分离出掺杂源离子束流和氢离子束流；位于掺杂源离子束流传输路径上的掺杂源离子束流检测装置和/或位于氢离子束流传输路径上的氢离子束流检测装置，该掺杂源离子束流检测装置用于检测掺杂源离子束流的电流，该氢离子束流检测装置用于检测氢离子束流的电流。通过偏转，可以通过采样部分或者全部束流，从而得知束流中氢和掺杂源元素的比例，并且通过检测结果来调整掺杂源的升华温度和/或氢气的供应量，由此获得较为理想的束流参数。 |
