FinFET的掺杂方法
基本信息
| 申请号 | CN201510107549.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106033715A | 公开（公告）日 | 2016-10-19 |
| 申请公布号 | CN106033715A | 申请公布日 | 2016-10-19 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 洪俊华;吴汉明;陈炯;张劲 | 申请（专利权）人 | 上海临港凯世通半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海弼兴律师事务所 | 代理人 | 上海凯世通半导体股份有限公司;上海临港凯世通半导体有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区牛顿路200号7号楼1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种FinFET的掺杂方法，该FinFET包括衬底和位于衬底上平行间隔设置的Fin，每根Fin包括顶面、第一侧壁和第二侧壁，该掺杂方法包括以下步骤：T1、在Fin的顶面、第一侧壁和第二侧壁中形成掺杂层；T2、将惰性元素沿着该衬底的法线方向注入至Fin的顶面中以减小顶面中掺杂元素的剂量。本发明通过较长时间的离子注入实现注入的饱和，并在侧壁完成注入之后增加一道注入的工艺，以实现Fin的均匀掺杂。 |
