光子集成电路的电隔离
基本信息
| 申请号 | CN201780080575.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110114942B | 公开（公告）日 | 2022-05-13 |
| 申请公布号 | CN110114942B | 申请公布日 | 2022-05-13 |
| 分类号 | H01S5/023（2021.01）I;G02B6/42（2006.01）I;G02B6/43（2006.01）I;G02B6/12（2006.01）I;H01L21/76（2006.01）I;H01L21/761（2006.01）I;H01S5/026（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | N·D·威特布莱德;S·琼斯 | 申请（专利权）人 | 英国有限公司 |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 英国北安普敦郡 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种在用于光子集成器件的波导结构中的子部分之间提供电隔离的方法，该结构包括衬底、缓冲层和核心层，所述缓冲层位于衬底和核心层之间并且包括第一类型的掺杂剂，所述第一类型是n型或p型，该方法包括在将任何层添加到与缓冲层相对的核心层的一侧之前的步骤：选择至少一个区域作为电隔离区域，将电介质掩模应用于与缓冲层相对的核心层表面，所述掩模中的窗口暴露对应于所选电隔离区域的表面区域，实现第二类型的掺杂剂的扩散，所述第二类型具有与第一类型相反的极性，并且允许第二类型的掺杂剂渗透到衬底以形成阻挡结。 |
