一种防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露的防护膜

基本信息

申请号 CN202110899153.4 申请日 -
公开(公告)号 CN113347864B 公开(公告)日 2021-11-12
申请公布号 CN113347864B 申请公布日 2021-11-12
分类号 H05K9/00(2006.01)I;G02B5/00(2006.01)I 分类 其他类目不包含的电技术;
发明人 金鑫;曹蕾;闻崇波;吴高其;李涛;邱晓怡;朱玉梅 申请(专利权)人 成都立鑫新技术科技有限公司
代理机构 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 代理人 邓小兵
地址 610200 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都市双流区物联二路186号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露的防护膜,包括:基底层;采用溅射镀膜方式附着在基底层上的导电金属层;采用溅射镀膜方式附着在导电金属层上的纳米半导体层;采用溅射方式或涂覆方式附着在纳米半导体层上的纳米热敏材料层;采用涂覆方式或溅射镀膜方式附着在纳米热敏材料层上的纳米红外吸收层;粘接在纳米红外吸收层上的纳米光致发光层;粘接在纳米光致发光层上的安装胶层;粘接在安装胶层上的保护层。本发明能够同时有效防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露,且针对红外激光入侵,不仅能够实时检测出红外激光入侵点在防护膜上的位置,还能够在入侵红外激光移走后的一段时间内肉眼观察到入侵印记。