一种银纳米线及其透明导电膜的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201610022132.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105750559A | 公开（公告）日 | 2016-07-13 |
| 申请公布号 | CN105750559A | 申请公布日 | 2016-07-13 |
| 分类号 | B22F9/24(2006.01)I;B22F1/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;C03C17/00(2006.01)I | 分类 | 铸造；粉末冶金; |
| 发明人 | 何岗;卫文飞;梁树华;胡卫南 | 申请（专利权）人 | 深圳市东方亮化学材料有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市惠邦知识产权代理事务所 | 代理人 | 孙大勇 |
| 地址 | 518103 广东省深圳市宝安区福永镇新塘工业区利嘉发工业园B栋三楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种银纳米线及其透明导电膜的制备方法，属于纳米材料合成及薄膜制备技术领域。该透明导电膜具有高透光性和低表面电阻。本发明的银纳米线的制备方法简单，制备得到的银纳米线的直径均一性好，导电膜透光性能好，表面电阻小，可以应用于透明导电膜的制备中，使制得的导电膜透光性能好，表面电阻小。在相近透光性能的条件下，本发明制备的透明导电膜方块电阻较小，同时具有良好的附着性能。 |
