碲化镉薄膜沉积的蒸发源及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201110263471.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102978573A | 公开（公告）日 | 2013-03-20 |
| 申请公布号 | CN102978573A | 申请公布日 | 2013-03-20 |
| 分类号 | C23C14/24(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 蒋猛;刘志强 | 申请（专利权）人 | 四川尚德太阳能电力有限公司 |
| 代理机构 | 中国专利代理（香港）有限公司 | 代理人 | 无锡尚德太阳能电力有限公司;四川尚德太阳能电力有限公司 |
| 地址 | 214028 中国江苏省无锡市新区长江南路17－6 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种碲化镉（CdTe）薄膜沉积的蒸发源及其制备方法，属于薄膜太阳电池技术领域。该制备方法包括以下步骤：（1）按比例混合形成包括镉金属粉末和碲单质粉末的粉末混合物；（2）将所述粉末混合物平铺于热蒸发设备的热蒸发源上；以及（3）在500℃至900℃的温度条件下蒸镀至平整的蒸发源衬底上形成碲化镉化合物。应用该制备方法制备形成该发明的蒸发源。该制备方法和蒸发源具有成本低的特点。 |
