制备CdTe薄膜的方法及热蒸发设备
基本信息
| 申请号 | CN201110263460.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102978572A | 公开（公告）日 | 2013-03-20 |
| 申请公布号 | CN102978572A | 申请公布日 | 2013-03-20 |
| 分类号 | C23C14/24(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C30B29/48(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 刘志强;蒋猛 | 申请（专利权）人 | 四川尚德太阳能电力有限公司 |
| 代理机构 | 中国专利代理（香港）有限公司 | 代理人 | 无锡尚德太阳能电力有限公司;四川尚德太阳能电力有限公司 |
| 地址 | 214028 江苏省无锡市新区长江南路17－6 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供了一种制备CdTe薄膜的方法及热蒸发设备。根据本申请的一个实施例，一种制备CdTe薄膜的方法包括：准备单质Cd和Te；将所述Cd和Te平铺于热蒸发设备的热蒸发源上；对所述热蒸发源进行加热，以产生Cd蒸汽和Te蒸汽；在所述热蒸发设备内的CdS衬底上形成CdTe薄膜。本申请通过采用价格较低的单质原料（碲和镉）来取代原来的化合物原料，使成本降低。同时，本申请将原来CdTe原料合成工艺与CdTe薄膜制备工艺结合起来，使得整个工艺流程大大简化。 |
