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基于半导体致冷技术的静电收集法测氡装置

基本信息

申请号 CN201611223877.2 申请日 -
公开（公告）号 CN106950591B 公开（公告）日 2019-08-09
申请公布号 CN106950591B 申请公布日 2019-08-09
分类号 G01T1/36 分类 测量；测试;
发明人 冯威锋;王腾飞;关键;曹放;丁海云;侯江;柳杰 申请（专利权）人 中核资源发展有限公司
代理机构 核工业专利中心 代理人 核工业北京化工冶金研究院;中核华创稀有材料有限公司
地址 101149 北京市通州区九棵树145号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明属于测氡仪技术领域，具体涉及一种基于半导体致冷技术的静电收集法测氡装置。包括滤膜、采样泵、半导体致冷片的热面、半导体制冷片的冷面、收集腔、半导体探测器、放大电路、隔热层和能谱分析系统；样品气体通过滤膜和采样泵进入收集腔，收集腔贴装在半导体制冷片的冷面，半导体探测器位于收集腔内部，放大电路位于收集腔外，半导体致冷片的冷面、收集腔和放大电路被隔热层包裹，半导体致冷片的热面贴装有散热器，能谱分析系统与放大电路连接。本发明能够解决样品气体温湿度对静电收集法测氡仪的影响问题；同时解决半导体探测器和放大电路的温漂问题，降低对半导体探测器和放大电路的性能要求，大幅降低仪器成本。