掺Bi卤化物激光晶体及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN200910151679.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101643934A | 公开（公告）日 | 2010-02-10 |
| 申请公布号 | CN101643934A | 申请公布日 | 2010-02-10 |
| 分类号 | C30B29/12(2006.01)I;H01S3/16(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 徐军;苏良碧;李红军;周朋;喻军 | 申请（专利权）人 | 中山昂腾光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 | 代理人 | 许亦琳;余明伟 |
| 地址 | 200050上海市长宁区定西路1295号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种掺Bi卤化物激光晶体及其制备方法，属于激光晶体领域。本发明的掺Bi卤化物激光晶体为碱金属或碱土金属卤化物晶体，Bi离子掺杂浓度Bi％的取值范围为：0.01at％≤Bi％≤5.0at％。本发明的晶体采用熔体法生长，生长气氛采用惰性或弱还原性气体，可以是氮气、氩气、或者是它们按一定比例与H2混合形成的混合气体。本发明的掺Bi卤化物激光晶体可应用于波长可调谐或超短脉冲激光器。 |
