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掺碳钇铝石榴石晶体及其两步法制备

基本信息

申请号 CN200910054969.6 申请日 -
公开（公告）号 CN101603205A 公开（公告）日 2009-12-16
申请公布号 CN101603205A 申请公布日 2009-12-16
分类号 C30B29/28(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B31/06(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 李红军;杨新波;徐军;苏良碧 申请（专利权）人 中山昂腾光电科技有限公司
代理机构 上海光华专利事务所 代理人 许亦琳;余明伟
地址 200050上海市长宁区定西路1295号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及激光晶体技术领域，公开了一种掺碳钇铝石榴石晶体及其两步法制备。本发明的掺碳钇铝石榴石晶体是在钇铝石榴石晶体中掺入碳元素。本发明还公开了该晶体的制备方法，包括如下步骤：将纯YAG晶体加工成YAG晶片，然后采用高纯碳作为蒸发源对纯YAG晶片进行扩散渗碳处理，制得掺碳钇铝石榴石晶体。本发明采用高纯碳作为蒸发源对纯YAG晶片进行扩散渗碳制备，能够避免制备过程中碳的挥发，该制备方法具有简单高效的特点。本发明中的掺C的YAG晶体具有很高的热释光和光释光灵敏度，在热释光或光释光剂量学领域有潜在应用价值。