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一种氟化镁钡单晶的生长方法

基本信息

申请号 CN201110434476.2 申请日 -
公开（公告）号 CN102534774B 公开（公告）日 2014-11-19
申请公布号 CN102534774B 申请公布日 2014-11-19
分类号 C30B29/12(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 武安华;徐军;苏良碧;李红军;钱国兴;姜林文;钱小波;王静雅 申请（专利权）人 中山昂腾光电科技有限公司
代理机构 上海海颂知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 何葆芳
地址 200050 上海市长宁区定西路1295号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种氟化镁钡单晶的生长方法，所述生长方法包括如下步骤：首先将BaF2和MgF2的混合粉体或BaMgF4粉体进行氟化处理；然后将氟化处理后的粉体和籽晶放入铂坩埚中，气密坩埚；再将铂坩埚置入单晶炉中，采用坩埚下降法生长氟化镁钡单晶。本发明所述的氟化镁钡单晶的生长方法具有如下优点：温场稳定，生长过程中无需通入CF4气体；生长的BaMgF4单晶完整性好，无宏观及微观缺陷；成品率高，晶体尺寸和外形容易控制；晶体不易开裂；另外，该方法工艺设备简单，操作方便，能耗明显降低，有利于实现工业化生产。