一种中红外发光晶体材料、及其制备方法与应用
基本信息
| 申请号 | CN201210541788.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103014864A | 公开（公告）日 | 2013-04-03 |
| 申请公布号 | CN103014864A | 申请公布日 | 2013-04-03 |
| 分类号 | C30B29/32(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;H01S3/16(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 徐军;蒋先涛;苏良碧;唐慧丽;范晓 | 申请（专利权）人 | 中山昂腾光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 | 代理人 | 刘懿 |
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种中红外发光晶体材料，其为Bi4Ge3O12晶体材料，由纯度高于99.9%摩尔配比为2:3的Bi2O3和GeO2，通过以下步骤制得，步骤1，制备Bi2O3和GeO2混合粉料；步骤2，制备Bi4Ge3O12晶体。该中红外发光晶体材料由于晶体Bi离子的含量高，有利于产生高强度和超宽带的中红外发光波段，物化性能稳定，材料加工方便，也可根据需要拉制成光纤，能够与其它光学系统具有很好的兼容性，激发条件简单，适用于激光二极管泵浦，能够很好的利用现在已经发展成熟的二级管激光作为泵浦源，从而得到紧凑型、高效率、低成本商用激光器。 |
