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印刷式半导体晶体管及其形成方法

基本信息

申请号 CN200910119877.1 申请日 -
公开（公告）号 CN101840996A 公开（公告）日 2010-09-22
申请公布号 CN101840996A 申请公布日 2010-09-22
分类号 H01L51/40(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 陈怡泽;史方;张扬;李明成 申请（专利权）人 上海宝致光电技术发展有限公司
代理机构 北京嘉和天工知识产权代理事务所 代理人 严慎
地址 212300 江苏省丹阳市丹金路999号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明设计印刷式半导体晶体管及其形成方法。具体地，一种形成半导体晶体管的方法，包括：在基体上印刷栅极；印刷栅介电膜；印刷源极和漏极；印刷半导体膜；以及形成钝化介电膜。本发明还公开一种印刷式半导体晶体管。本发明的方法可以以印刷方式方便地提供纳米级的半导体晶体管，极大地降低原有成本而同时保持了半导体晶体管的性能，具有广泛的实用性和光明的经济前景；并且本发明的半导体晶体管印刷工艺可以在常温常压下进行，避免了高温真空覆膜工艺和昂贵的光刻工艺，制作也更为简单，从而大幅节省了制造成本，并且也符合当今对于环境保护的需求。