三元GaAsP铝电极发光二极管芯片制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201010548721.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102468376B | 公开（公告）日 | 2013-10-09 |
| 申请公布号 | CN102468376B | 申请公布日 | 2013-10-09 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李有群;杨彦霞;岳建水 | 申请（专利权）人 | 上海大晨光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 | 代理人 | 李仪萍 |
| 地址 | 201206 上海市浦东新区金桥出口加工区云桥路946号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及三元GaAsP铝电极发光二极管芯片制备方法，该工艺的技术特征在于制作铝电极之前，先对芯片正面(发光面)进行粗化处理，使得光线从内部经由发光面能均匀折射出来；并在完成铝电极制作完成后，对该电极进行保护，再对发光二极管(LED)芯片侧面进行粗化处理，使得光线从内部经由侧面能均匀折射出来。从而在保持外延层结构不变的前提下明显提高了发光二极管(LED)芯片的出光效率。 |
