一种提高出光效率的发光二极管芯片制造方法
基本信息
| 申请号 | CN200810203359.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101409323B | 公开（公告）日 | 2011-09-21 |
| 申请公布号 | CN101409323B | 申请公布日 | 2011-09-21 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李有群;涂招莲;岳建水;康建;俞振中 | 申请（专利权）人 | 上海大晨光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 | 代理人 | 余明伟;冯珺 |
| 地址 | 201206 上海市浦东新区金桥出口加工区云桥路946号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明一种提高出光效率的发光二极管芯片制造方法，其包括步骤一，对发光二极管芯片进行划片至衬底，步骤二，采用扩片工艺对划片后的芯片进行扩片，步骤三，配制NaCLO腐蚀液，所述NaCLO腐蚀液采用体积比为1：9至1：18之间的NaCLO溶液与水配制，该NaCLO腐蚀液的PH值在4-7之间，步骤四，采用上述NaCLO腐蚀液喷洒扩片后的芯片。本发明主要涉及对芯片侧面进行粗化处理，使光线从内部折射出来，从而提高出光效率。 |
