高通流能力的单向ESD保护器件及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202010338206.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111599805A | 公开（公告）日 | 2020-08-28 |
| 申请公布号 | CN111599805A | 申请公布日 | 2020-08-28 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 宋文龙;杨珏林;张鹏;李泽宏;许志峰 | 申请（专利权）人 | 成都吉莱芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京正联知识产权代理有限公司 | 代理人 | 卢海洋 |
| 地址 | 610015四川省成都市自由贸易试验区成都高新区世纪城南路599号6栋5层505号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种高通流能力的单向ESD保护器件及其制作方法，包括N型衬底材料，N型衬底材料正面外延有N型外延层，N型外延层内设有带高低不同的深浅PN结的P型扩散区，N型外延层上淀积隔离介质层，隔离介质层和P型扩散区外正面溅射或蒸发正面金属区，N型衬底材料背面减薄并金属化形成背面金属区。步骤1）制备N型衬底材料，生长一层N型外延层；步骤2）在N型外延层102上生长一层牺牲氧化层，获得高低不同的深浅PN结；步骤3）正面硼注入，形成P型扩散区；步骤4）：正面淀积隔离介质层，正面光刻形成接触孔区；步骤5）正面溅射或蒸发金属；形成正面金属区和背面金属区。形成结深不同的深浅结，进而获得更高的通流能力。 |
