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一种低压低电容单向ESD保护器件

基本信息

申请号	CN202020649583.1	申请日	-
公开（公告）号	CN212342626U	公开（公告）日	2021-01-12
申请公布号	CN212342626U	申请公布日	2021-01-12
分类号	H01L27/02;H01L21/8222	分类	基本电气元件;
发明人	宋文龙;杨珏琳;张鹏;李泽宏;许志峰	申请（专利权）人	成都吉莱芯科技有限公司
代理机构	南京正联知识产权代理有限公司	代理人	卢海洋
地址	610000 四川省成都市自由贸易试验区成都高新区世纪城南路599号6栋5层505号
法律状态	-

摘要

本实用新型提供了一种低压低电容单向ESD保护器件，包括P型单晶材料、隔离介质层、正面金属区、背面金属区；P型单晶材料两侧设有N型隔离区，P型单晶材料的上方设有P型调整区和N型扩散区，P型单晶材料的下方设有P型调整区。本实用新型可以实现单颗芯片完成低压低电容的单向ESD保护，封装难度低，可靠性高。本实用新型既包括穿通型三极管又包括降容二极管。本实用新型的穿通型三极管将纵向击穿调整为横向击穿，同时引入P型调整区，可以在低电压的条件下，获得更低的漏电流。本实用新型的降容二极管可以通过调整P型单晶材料的电阻率可以获得需求的电容值。本实用新型以P型单晶为材料，不同于传统结构的外延材料，从而具有制造成本低的优点。