超低压触发器件
基本信息
| 申请号 | CN202021225167.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212750894U | 公开（公告）日 | 2021-03-19 |
| 申请公布号 | CN212750894U | 申请公布日 | 2021-03-19 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H01L21/8222(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨珏琳;宋文龙;李泽宏;张鹏 | 申请（专利权）人 | 成都吉莱芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京正联知识产权代理有限公司 | 代理人 | 查鑫利 |
| 地址 | 610000四川省成都市自由贸易试验区成都高新区世纪城南路599号6栋5层505号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 超低压触发器件，包括从下到上依次为背面金属电极、P+衬底层、N型外延层、绝缘介质层、正面金属层，N型外延层端面一边到另一边依次设P+隔离层、N+多晶硅和P型基区；P+隔离层穿通至P+衬底层；N+多晶硅、P型基区两个区域中均设P+源区、N+源区。超低压触发器件的制作方法，包括如下步骤：淀积N型外延层；高温推进形成P+隔离层；淀积N+多晶硅，露出N型外延层；推结形成P型基区；在N+多晶硅、P型基区区域中，形成P+源区，随后光刻注入高浓度N型杂质形成N+源区；淀积绝缘介质层，完成正面金属层；淀积背面金属电极。本发明有效减少成本及触发电压，拥有超低触发电压及强泄放电荷能力。 |
