一种低压ESD保护器件
基本信息
| 申请号 | CN202021225257.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212750895U | 公开（公告）日 | 2021-03-19 |
| 申请公布号 | CN212750895U | 申请公布日 | 2021-03-19 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L21/8222(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨珏琳;宋文龙;李泽宏;张鹏 | 申请（专利权）人 | 成都吉莱芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京正联知识产权代理有限公司 | 代理人 | 查鑫利 |
| 地址 | 610000四川省成都市自由贸易试验区成都高新区世纪城南路599号6栋5层505号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种低压ESD保护器件，包括N型单晶材料层、N+多晶硅、N型基区、P型基区，N型单晶材料层上依次设置第一层隔离介质、第一金属层、第二层隔离介质、第二金属层，N+多晶硅、N型基区、P型基区均设于N型单晶材料层顶部，N+多晶硅内设有P+源区、N+源区，外部与N型单晶材料层之间设有热氧化层，N型基区内设有P+源区，P型基区内依次设有P+源区、N+源区、N+源区、P+源区。本实用新型降低了芯片成本；不增加元胞尺寸，减小了芯片面积占用；通过优化器件尺寸，超低残压，适用于低压系统的超高速信号的防护，同时通过版图优化可以实现双向ESD保护，为低压系统的超高速信号的双向防护提供一种解决方案。 |
