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一种可增强通流能力的单向ESD保护器件及其制作方法

基本信息

申请号	CN202111105478.7	申请日	-
公开（公告）号	CN113690233A	公开（公告）日	2021-11-23
申请公布号	CN113690233A	申请公布日	2021-11-23
分类号	H01L27/02;H01L29/06;H01L21/77	分类	基本电气元件;
发明人	宋文龙;杨珏琳;张鹏;许志峰	申请（专利权）人	成都吉莱芯科技有限公司
代理机构	南京正联知识产权代理有限公司	代理人	查鑫利
地址	610096 四川省成都市自由贸易试验区成都高新区世纪城南路599号6栋5层505号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种可增强通流能力的单向ESD保护器件及其制作方法，包括P型单晶材料、N+扩散区、P+扩散区、P扩散区、表面钝化层、金属层Ⅰ、金属层Ⅱ，其中P扩散区在金属层Ⅰ下方N+扩散区至金属层Ⅱ下方N+扩散区之间浓度逐渐降低，本发明在P扩散区光刻窗口的设计中，窗口的尺寸依次可以命名为：L1、L2、L3、L4、L5，窗口间距的尺寸依次可以命名为：D1、D2、D3、D4，L5>L4>L3>L2>L1，D1>D2>D3>D4，从而获P扩散区，从N+扩散区（金属层Ⅱ下方）到N+扩散区（金属层Ⅰ下方），P扩散区的浓度逐渐降低，形成由左至右的内建电场，从而可以获得更高的通流能力，通过合理设计P扩散区的光刻窗口尺寸，与常规结构相比，本发明的通流能力可以比常规结构提高20‑40%。