一种低残压低电容单向ESD保护器件
基本信息
| 申请号 | CN202020652470.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212010967U | 公开（公告）日 | 2020-11-24 |
| 申请公布号 | CN212010967U | 申请公布日 | 2020-11-24 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L21/8228(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 宋文龙;杨珏琳;张鹏;李泽宏;许志峰 | 申请（专利权）人 | 成都吉莱芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京正联知识产权代理有限公司 | 代理人 | 查鑫利 |
| 地址 | 四川省成都市自由贸易试验区成都高新区世纪城南路599号6栋5层505号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种低残压低电容单向ESD保护器件，包括N型单晶，N型单晶顶面设置三个隔离介质层，相邻两个隔离介质层之间设置正面金属区，N型单晶内，顶部一侧设有P型扩散区，另一侧设置相连的N型接触区、P型接触区，P型扩散区底部为N型调整区，顶部设相连的N型接触区与P型接触区，本实用新型可以在芯片面积不变、芯片加工工序不变的条件下，获得更低的残压参数；通过高能注入的方式将N型调整区105由芯片表面位置调整到P型扩散区102底部，使得残压参数可以获得一定比例的降低；与常规结构相比，在芯片面积一定的条件下，本实用新型的残压参数可以降低10‑30%。 |
