一种低电容低残压的双向ESD保护器件及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202111106081.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113764404A | 公开（公告）日 | 2021-12-07 |
| 申请公布号 | CN113764404A | 申请公布日 | 2021-12-07 |
| 分类号 | H01L27/02（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/77（2017.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 宋文龙;杨珏琳;张鹏;许志峰 | 申请（专利权）人 | 成都吉莱芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京正联知识产权代理有限公司 | 代理人 | 查鑫利 |
| 地址 | 四川省成都市自由贸易试验区成都高新区世纪城南路599号6栋5层505号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种低电容低残压的双向ESD保护器件及其制作方法，包括N型衬底材料、P型外延层、正面金属区和背面金属区，P型外延层顶部设有N型扩散区b，N型扩散区b之间设有P型扩散区，最外侧的N型扩散区b外侧设有N型扩散区a，P型外延层顶部设有隔离介质层。外延工艺在N型衬底材料生长一层P型外延层，生长一层牺牲氧化层，光刻形成N型扩散区图形，磷注入，磷推进，形成N型扩散区，光刻形成P型扩散区图形，硼注入，硼推进，形成P型扩散区，光刻形成N型扩散区图形，磷注入，磷推进，形成N型扩散区，正面淀积隔离介质层，光刻形成接触孔区，正面金属化，背面金属化。在背面金属接触基板的的时候，有利于散热，保证产品的性能。 |
