一种低压ESD保护器件及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202010603742.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111710675A | 公开（公告）日 | 2020-09-25 |
| 申请公布号 | CN111710675A | 申请公布日 | 2020-09-25 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨珏琳;宋文龙;李泽宏;张鹏 | 申请（专利权）人 | 成都吉莱芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京正联知识产权代理有限公司 | 代理人 | 查鑫利 |
| 地址 | 四川省成都市自由贸易试验区成都高新区世纪城南路599号6栋5层505号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种低压ESD保护器件及其制作方法，本发明有效地提高了芯片的利用率，降低了芯片成本；不增加元胞尺寸，减小了由于保持金属间距造成的芯片面积占用，可以将元胞尺寸缩小20%左右，电流泄放能力至少提高50%；采用正偏二极管串可以将SCR的回扫电流降低至1.5V，通过调整正偏二极管数目，可以实现1.2V、1.8V、2V、2.5V、2.8V、3.3V等电压等级的超低触发电压ESD保护器件；通过优化器件尺寸，超低残压，适用于低压系统的超高速信号的防护，同时通过版图优化可以实现双向ESD保护，为低压系统的超高速信号的双向防护提供一种解决方案。 |
