IGBT器件的结构及工艺方法
基本信息
| 申请号 | CN202110804458.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113571497A | 公开（公告）日 | 2021-10-29 |
| 申请公布号 | CN113571497A | 申请公布日 | 2021-10-29 |
| 分类号 | H01L23/544（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I;G01R31/26（2014.01）I;G01R31/52（2020.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王晓军;周宏骏;方华斌;吕浩 | 申请（专利权）人 | 上海华虹挚芯电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 焦健 |
| 地址 | 201206上海市浦东新区碧波路177号402部位401-403室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种IGBT器件结构及工艺方法，所述器件形成于半导体衬底中，器件具有元胞区、终端环区、漏电检测区以及截止区；所述漏电检测区位于终端环区与截止区之间。利用终端环区和截止区的之间的空间，设计了漏电检测区，结合半导体功率器件沟槽绝缘栅晶体管的工艺，可以及时发现功率器件工艺中的漏电产生，解决了现有IGBT器件结构不能及时捕捉监控器件结构受到磷离子污染或器件表面界面态缺陷没有及时修复产生的漏电现象。可以有效实现监控，达到及时发现漏电，确定漏电的大小，改善工艺。能够判定漏电是否来自于半导体表面，并测试漏电的大小，进行诊断，发现漏电来源进行改善治理。提高半导体器件稳定性和可靠性的目的。 |
