IGBT器件的结构及工艺方法
基本信息
| 申请号 | CN202111008427.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113745328A | 公开（公告）日 | 2021-12-03 |
| 申请公布号 | CN113745328A | 申请公布日 | 2021-12-03 |
| 分类号 | H01L29/739（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王晓军;马庆海;胡杰 | 申请（专利权）人 | 上海华虹挚芯电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 焦健 |
| 地址 | 201206上海市浦东新区碧波路177号402部位401-403室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种IGBT器件结构及其工艺方法，所述器件的背面金属上方为集电区，集电区上方为场终止层，场终止层上方为基区；在所述衬底的上表面的浅层为体区，沟槽的底部位于基区中，沟槽内填充多晶硅层形成沟槽型栅极，所述衬底的上表面覆盖金属层；靠近体区的基区中具有一层正面缺陷区，靠近场终止层的基区中具有一层背面缺陷区。本发明通过正面及背面的可控深度制造缺陷，控制正面及背面载流子寿命；这样在关断的过程中，载流子寿命有限，电流很快就下降为零。注入缺陷后，正面部分区域的电阻偏小，电流很快就上升到饱和区域，开通时间变小，在开通和关断过程中损耗变少。 |
