一种除去阳极氧化铝孔道内屏蔽层的方法
基本信息
申请号 | CN202010193009.4 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN111172576A | 公开(公告)日 | 2020-05-19 |
申请公布号 | CN111172576A | 申请公布日 | 2020-05-19 |
分类号 | C25D11/16;C23G1/22;C23G1/12;C25D11/08;C25D11/10;C25D11/24 | 分类 | 电解或电泳工艺;其所用设备〔4〕; |
发明人 | 王永芝 | 申请(专利权)人 | 佛山市南海一铭金属塑料标牌有限公司 |
代理机构 | - | 代理人 | - |
地址 | 215300 江苏省苏州市昆山市周市镇金塘园18栋603 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提供了一种除去阳极氧化铝孔道内屏蔽层的方法,通过γ‑氯丙基三甲基硅烷对多孔层和屏蔽的层选择性吸附反应,以及后续碱性腐蚀反应能够有效的腐蚀位于阳极氧化膜孔道底部的屏蔽层,有效提高阳极氧化基材的导电性。 |
