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一种单晶炉液口距设置方法

基本信息

申请号 CN202111266358.5 申请日 -
公开（公告）号 CN113913922A 公开（公告）日 2022-01-11
申请公布号 CN113913922A 申请公布日 2022-01-11
分类号 C30B15/20（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 王新强;张存江;罗良良 申请（专利权）人 双良硅材料（包头）有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 骆英静
地址 014062内蒙古自治区包头市稀土开发区滨河新区翠湖路35号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种单晶炉液口距设置方法，该方法包括步骤：将设置有定位装置的热屏下降到单晶炉的预设位置，所述定位装置用于定位籽晶的第一下降位置的定位装置，所述第一下降位置与所述热屏的下沿的距离为a；将籽晶下降至第一下降位置；将籽晶由第一下降位置继续下降至第二下降位置，所述第二下降位置位于所述热屏下沿以下，所述第二下降位置与所述第一下降位置的距离为L，其中L＝H+a，H为液口距；将坩埚上升至坩埚内部的硅料液面与位于第二下降位置的籽晶下端接触，停止上升坩埚。本发明提供的单晶炉液口距设置方法通过定位装置预先将籽晶下降至工艺要求的液口距，再上升坩埚使硅料液面与籽晶接触，提高了液口距设置的准确一致性。