一种降氧拉晶工艺和石英坩埚
基本信息
| 申请号 | CN202111305898.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113981525A | 公开（公告）日 | 2022-01-28 |
| 申请公布号 | CN113981525A | 申请公布日 | 2022-01-28 |
| 分类号 | C30B15/00（2006.01）I;C30B15/10（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I;C30B15/02（2006.01）I;C30B15/20（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 黄晶晶;吴刚;鞠贵冬;王新强 | 申请（专利权）人 | 双良硅材料（包头）有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 秦晓君 |
| 地址 | 014062内蒙古自治区包头市稀土开发区滨河新区翠湖路35号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种降氧拉晶工艺和石英坩埚。通过对初次投放的硅料进行化料时，通入氩气，并通过炉压控制控制炉压为预设炉压；再将炉压控制关闭，打开主泵，复投硅料；然后再复投硅料结束后，间隔第二预设时间，将炉压控制闭环，通过上述公开的降氧拉晶工艺，能够加快高温化料期间所产生的挥发物排出，减少SiO附着在排气管道，避免因SiO附着在排气管道使产生的SiO不能及时排出，保证排气管道能够顺畅排气，进而能够减少挥发物中的SiO溶于液态硅中，降低液态硅中含氧量，避免进行氧反切，有效提高成晶率，从而提高产能。 |
