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一种颗粒硅的拉晶工艺

基本信息

申请号 CN202111307509.7 申请日 -
公开（公告）号 CN114016124A 公开（公告）日 2022-02-08
申请公布号 CN114016124A 申请公布日 2022-02-08
分类号 C30B15/02（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 李海明;刘玉斌;王立平;王新强 申请（专利权）人 双良硅材料（包头）有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 秦晓君
地址 014062内蒙古自治区包头市稀土开发区滨河新区翠湖路35号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种颗粒硅的拉晶工艺。向加料桶内加颗粒硅，使颗粒硅铺地，并向炉膛内通入氩气；然后将加料桶埚降至第一预设位置，将水冷屏提升至上限位置，通过加料桶向炉膛内进行第一次颗粒硅加料，并间隔预设时间间隔，通过加料桶向炉膛内进行N次颗粒硅加料，直至炉膛内液体硅的重量达到预设重量，通过上述公开的拉晶工艺，能够在通过加料桶向炉膛内加入颗粒硅过程中，以及在颗粒硅化料过程中，均能够有效避免液态硅溅起，进而能够有效减小颗粒硅的引放次数，提升硅棒的生产效率。