一种SRAM读写控制方法及行缓冲控制器
基本信息
| 申请号 | CN202111207496.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113641626A | 公开（公告）日 | 2021-11-12 |
| 申请公布号 | CN113641626A | 申请公布日 | 2021-11-12 |
| 分类号 | G06F15/78（2006.01）I | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 谭章熹;梁松海;崔鲁平 | 申请（专利权）人 | 睿思芯科（深圳）技术有限公司 |
| 代理机构 | 深圳君信诚知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘伟 |
| 地址 | 518000广东省深圳市前海深港合作区前湾一路35号前海深港青年梦工场1栋1层105室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明适用于SOC技术领域，提供了一种SRAM读写控制方法及行缓冲控制器，所述方法包括：在策略寄存器中设定访问域和读写策略；通过分配器监控来自存储访问控制器的SRAM读写地址，并根据所述SRAM读写地址发出数据读写指令；通过行缓冲寄存器组根据数据读写指令调整行替换策略，并根据行替换策略进行数据的读出或/和写入操作。本发明通过一种新的行缓冲控制器降低了SRAM读写过程中产生的动态功耗。 |
