镀膜设备及其镀膜控制方法
基本信息
| 申请号 | CN202110071547.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112899630A | 公开（公告）日 | 2021-06-04 |
| 申请公布号 | CN112899630A | 申请公布日 | 2021-06-04 |
| 分类号 | C23C14/35;C23C14/54;C23C14/46 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 刘伟基;冀鸣;赵刚;易洪波 | 申请（专利权）人 | 中山市博顿光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州市律帆知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王园园 |
| 地址 | 528000 广东省佛山市南海区狮山镇信息大道南33号力合科技产业中心加速器项目69栋第三层301单元（住所申报） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及一种镀膜设备及其镀膜控制方法，所述镀膜设备，包括：至少一个霍尔离子源以及磁控溅射阴极；其中，磁控溅射阴极与霍尔离子源相邻布置且发射口位置平行；在工作时，磁控溅射阴极的靶材产生材料粒子和电子，电子运动至霍尔离子源，霍尔离子源的阳极利用电子激活工作气体，产生离子源离子；利用磁控溅射阴极产生的材料粒子与霍尔离子源产生的离子源离子对基片进行镀膜；该技术方案，既充分利用了多余的电子，简化了霍尔离子源的结构，同时通过引入霍尔离子源的离子磁控溅射阴极的镀膜提供了更好的协助，特别是应用在加工氧化物的时候，产生比等离子能量更大的离子，加强了氧化效果，提升了镀膜效果。 |
