用于外延沉积III-V材料层的反应腔
基本信息
| 申请号 | CN201320347098.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN203346472U | 公开（公告）日 | 2013-12-18 |
| 申请公布号 | CN203346472U | 申请公布日 | 2013-12-18 |
| 分类号 | C23C16/455(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 李王俊;叶芷飞 | 申请（专利权）人 | 光垒光电科技（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨林;马翠平 |
| 地址 | 200050 上海市长宁区延安西路889号1106B室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及半导体制作技术设备，是一种用于外延沉积III-V材料层的反应腔，所述反应腔包括：腔体；设置于所述腔体底部的加热器；位于所述加热器上方的衬底托盘；以及设置于所述腔体顶部，并与所述衬底托盘相对设置的喷淋头，所述喷淋头与所述衬底托盘之间限定为反应区，所述喷淋头用于往所述反应区喷射反应气体；所述喷淋头包括III族源扩散腔、V族源扩散腔和油冷却腔，所述III族源扩散腔和所述V族源扩散腔设置在所述油冷却腔背离所述加热器的一侧。本实用新型能扩大沉积气源的输出温度范围内调整，可避免沉积气源在喷淋头出气面上形成疏松沉积物而容易脱落污染衬底，能适应现有工艺要求。 |
