一种带有内加热器的PECVD系统
基本信息
| 申请号 | CN200910158204.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101962759B | 公开（公告）日 | 2012-07-25 |
| 申请公布号 | CN101962759B | 申请公布日 | 2012-07-25 |
| 分类号 | C23C16/50(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 吴文基;郑泽文;刘丽娟 | 申请（专利权）人 | 深圳市宇光高科新能源技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京安博达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐国文 |
| 地址 | 518116 广东省深圳市龙岗区龙城街道龙平西路鹏利泰工业区C栋二、三楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种带有内加热器的PECVD系统，包括真空室和置于真空室内的可移式等离子箱，所述真空室的外周四壁上设有加热板，所述可移式等离子箱至少为两个，各可移式等离子箱平行排列于真空室内，各可移式等离子箱之间设有用于使真空室内均匀受热的内加热器。此装置大大提高了单室沉积系统的产量，又避免传统加热方式造成的温度分布不均衡问题，本发明有效解决了在带有TCO的玻璃衬底上沉积的硅基薄膜的厚度不均匀性，提高了大面积硅基薄膜太阳电池的性能，为研发大面积PECVD薄膜沉积系统奠定了基础，有力推动硅薄膜电池技术产业化。 |
