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硅碳负极极片及其制备方法与应用

基本信息

申请号 CN202110430746.6 申请日 -
公开（公告）号 CN113346050A 公开（公告）日 2021-09-03
申请公布号 CN113346050A 申请公布日 2021-09-03
分类号 H01M4/1395（2010.01）I;H01M4/134（2010.01）I;H01M4/38（2006.01）I;H01M4/587（2010.01）I;H01M4/62（2006.01）I;H01M10/0525（2010.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 赵小欢;刘冯新;娄永文;李奎;张明杰 申请（专利权）人 昆山聚创新能源科技有限公司
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 代理人 林青中
地址 215333江苏省苏州市昆山市昆山开发区蓬溪中路1号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种硅碳负极极片的制备方法，首先将多孔硅与有机碳氮源等制备成浆料涂覆在集流体的表面，再进行热解处理，在集流体的表面原位生成氮掺杂的硅碳材料，形成硅碳负极极片，避免了将硅碳材料制备成浆料然后涂覆在集流体的表面这一过程中对硅碳材料的结构和形貌的破坏，并且氮掺杂的硅碳材料由于氮元素的掺杂，提升了硅碳负极极片的电子传导性和离子传导性，对涂布极片在保护性气体氛围下热解处理，将有机碳氮源碳化，同时也避免了负极集流体发生氧化。该制备方法得到的硅碳负极极片，硅碳材料的结构形貌均一性好，极片充放电过程的体积变化小，循环性能良好，在循环1000圈后容量保持率仍在84％以上。