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紫外宽光谱无掩膜光刻成像系统以及光刻机

基本信息

申请号	CN202110505623.4	申请日	-
公开（公告）号	CN113219793A	公开（公告）日	2021-08-06
申请公布号	CN113219793A	申请公布日	2021-08-06
分类号	G03F7/20（2006.01）I;G02B13/00（2006.01）I;G02B13/22（2006.01）I	分类	摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕;
发明人	李鹏飞;杨宇航;蔡潍;戚蓉蓉	申请（专利权）人	合肥芯碁微电子装备股份有限公司
代理机构	北京景闻知识产权代理有限公司	代理人	贾玉姣
地址	230088安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期F3楼11层
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种紫外宽光谱无掩膜光刻成像系统以及光刻机，紫外宽光谱无掩膜光刻成像系统包括：第一镜头组件、光阑以及第二镜头组件，第一镜头组件的焦距为f1，第二镜头组件的焦距为f2，紫外宽光谱无掩膜光刻成像系统的焦距为f，紫外宽光谱无掩膜光刻成像系统满足关系式：0.05≤f1/f≤0.09，0.21≤f2/f≤0.41；第一透镜到第十二透镜沿光轴从物侧到像侧依次设置，且第一透镜到第十二透镜均为单透镜。根据本发明的紫外宽光谱无掩膜光刻成像系统，可采用更宽波段的光源，并以较少数量的透镜，实现了高成像质量、大焦深和高透过率设计，不采用胶合透镜，使得光学成像系统更稳定性，不仅降低了光刻成本，而且光刻设备具有更高的运行稳定性。