一种激光直接成像设备正反面成像对位误差的检测方法
基本信息

| 申请号 | CN201910100091.9 | 申请日 | - |
| 公开(公告)号 | CN109597283B | 公开(公告)日 | 2021-08-13 |
| 申请公布号 | CN109597283B | 申请公布日 | 2021-08-13 |
| 分类号 | G03F7/20;G03F9/00;G01B11/03 | 分类 | 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术〔4〕; |
| 发明人 | 尤勇;严孝年;杨坤伦 | 申请(专利权)人 | 合肥芯碁微电子装备股份有限公司 |
| 代理机构 | 合肥天明专利事务所(普通合伙) | 代理人 | 苗娟;奚华保 |
| 地址 | 230088 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期F3楼11层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要

| 摘要 | 本发明的一种激光直接成像设备正反面成像对位误差的检测方法,可解决现有的检测方法效率低下而且检测精度低的技术问题。包括S10、向产品的A面图形边缘添加对位检测标记MARK‑A;S20、向产品的B面图形边缘添加对位检测标记MARK‑B,MARK‑A与MARK‑B中心对齐;S30、向产品基板的对称两板边固定两条与基板等厚度的透明材质;S40、安装并调试基板;S50、对基板A面进行曝光成像;S60、对基板进行左右翻版;S70、对基板B面进行曝光成像;S80、CCD图像处理系统抓取MARK‑A中心坐标;S90、CCD图像处理系统抓取MARK‑B中心坐标;S100、计算MARK‑A与MARK‑B中心坐标误差值。本发明省去了化学显影化学蚀刻化学退膜和X‑Ray照射、显微镜测量等步骤,提高了检测效率和准确性。 |





