半导体器件的制备方法及其结构
基本信息
| 申请号 | CN202111077008.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113903664A | 公开（公告）日 | 2022-01-07 |
| 申请公布号 | CN113903664A | 申请公布日 | 2022-01-07 |
| 分类号 | H01L21/335（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李海滨;许明伟;樊晓兵 | 申请（专利权）人 | 深圳市汇芯通信技术有限公司 |
| 代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 熊永强 |
| 地址 | 518035广东省深圳市福田区华富街道莲花一村社区皇岗路5001号深业上城（南区）T2栋2701 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种半导体器件的制备方法及其结构，该方法包括：在衬底上制备缓冲层，并在缓冲层上由下而上依次外延形成第一薄膜层和第二薄膜层；在第二薄膜层的上表面由下而上依次沉积第一介质层和第二介质层；通过光刻和刻蚀工艺将第二介质层制备为第一结构，第一结构用于制备半导体器件的栅极；以第一结构为掩膜刻蚀第一介质层，并停止在第二薄膜层的上表面以形成源漏区域，源漏区域位于第一结构的两侧，源漏区域用于制备半导体器件的源漏极，从而通过第一结构中的刻蚀后的第二介质层、第一介质层和第二薄膜层形成一个在第一方向上的三明治结构，并通过该三明治结构中各层的厚度关系实现控制或缩小栅极的制备尺寸。 |
