射频半导体器件的制备方法及其结构
基本信息
| 申请号 | CN202110456795.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113192836A | 公开（公告）日 | 2021-07-30 |
| 申请公布号 | CN113192836A | 申请公布日 | 2021-07-30 |
| 分类号 | H01L21/335;H01L29/778;H01L29/423 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李海滨;许明伟;樊晓兵 | 申请（专利权）人 | 深圳市汇芯通信技术有限公司 |
| 代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 熊永强 |
| 地址 | 518035 广东省深圳市福田区华富街道莲花一村社区皇岗路5001号深业上城（南区）T2栋2701 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请实施例公开了一种射频半导体器件的制备方法及其结构，该方法包括：在衬底上制备缓冲层，并在缓冲层上外延形成第一结构层；在第一结构层的上表面沉积第一钝化层，并在第一钝化层的上表面通过刻蚀工艺形成凸形结构；在凸形结构的外侧通过刻蚀工艺形成侧墙结构；根据凸形结构、侧墙结构和第一钝化层在第一结构层内形成重掺杂的第一区域；或者，根据凸形结构、侧墙结构和第一钝化层在第一表面区域上外延形成重掺杂的第一外延层，第一表面区域为回刻第一结构层后所露出的表面区域，从而有利于实现自对准和小尺寸结构的栅极工艺集成，提高射频半导体器件的性能，以及保证制备的源漏极具有较小的寄生电阻和接触电阻。 |
