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一种集成芯片及其制作方法和集成电路

基本信息

申请号	CN202010075251.1	申请日	-
公开（公告）号	CN113161349A	公开（公告）日	2021-07-23
申请公布号	CN113161349A	申请公布日	2021-07-23
分类号	H01L27/06;H01L21/8252;H01L49/02	分类	基本电气元件;
发明人	樊永辉;樊晓兵;许明伟;曾学忠	申请（专利权）人	深圳市汇芯通信技术有限公司
代理机构	深圳市博衍知识产权代理有限公司	代理人	曾新浩
地址	518000 广东省深圳市华富街道莲花一村社区皇岗路5001号深业上城（南区）T2栋2701
法律状态	-

摘要

申请公开了一种集成芯片及其制作方法和集成电路。所述集成芯片包括相连接的氮化镓高电子迁移率晶体管和LC滤波器，氮化镓高电子迁移率晶体管包括衬底、外延层、栅极、源极、漏极、钝化层、第一金属层和第二金属层等，LC滤波器包括相连接的电感和电容，电感包括电感绕线和电感端口，电容包括下电极、电容介质和上电极，下电极与所述第一金属层、电感绕线通过同一道制程形成，上电极、第二金属层和电感端口通过同一道制程形成，所述第二金属层与所述电感端口、所述上电极耦合。本申请通过对氮化镓高电子迁移率晶体管和LC滤波器的集成减小芯片以及产品的体积，提高芯片的性能；还将晶体管和滤波器的相关金属结构同步制程，进一步提高生产效率和芯片性能。