过渡金属离子掺杂多孔CdIn<sub>2</sub>S<sub>4</sub>光催化剂的制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

过渡金属离子掺杂多孔CdIn₂S₄光催化剂的制备方法

基本信息

申请号	CN201110033996.2	申请日	-
公开（公告）号	CN102101055A	公开（公告）日	2011-06-22
申请公布号	CN102101055A	申请公布日	2011-06-22
分类号	B01J27/04(2006.01)I;B01J37/00(2006.01)I	分类	一般的物理或化学的方法或装置;
发明人	白雪峰;李锦书	申请（专利权）人	哈尔滨六环石油化工技术开发公司
代理机构	哈尔滨市松花江专利商标事务所	代理人	韩末洙
地址	150040 黑龙江省哈尔滨市香坊区中山路164号
法律状态	-

摘要

过渡金属离子掺杂多孔CdIn2S4光催化剂的制备方法，涉及一种离子掺杂多孔CdIn2S4光催化剂的制备方法。本发明是要解决现有CdIn2S4光催化剂的光催化活性较低的问题。方法：一、将二价镉盐、三价铟盐和硫代乙酰胺溶于水或非水溶剂中，加入模板剂，超声波处理至完全溶解；二、加入过渡金属盐，超声处理，得到黄色胶状沉淀；三、热处理，冷却至室温，离心，收集沉淀，用蒸馏水洗涤；四、离心，收集沉淀，用无水乙醇进行超声洗涤，抽滤，真空干燥，即得到过渡金属离子掺杂的多孔CdIn2S4光催化剂。本发明的工艺简单，操作简便，无其它杂质产生，制备的过渡金属离子掺杂的多孔CdIn2S4光催化剂具有较高的可见光催化产氢活性。应用于光催化材料领域。