带有片内实时校准的高精度电流采样电路
基本信息
申请号 | CN202110520954.5 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN113252949B | 公开(公告)日 | 2021-11-05 |
申请公布号 | CN113252949B | 申请公布日 | 2021-11-05 |
分类号 | G01R1/20(2006.01)I;G01R1/30(2006.01)I;G01R1/36(2006.01)I;G01R35/00(2006.01)I | 分类 | 测量;测试; |
发明人 | 齐伟;王乃龙 | 申请(专利权)人 | 北京芯格诺微电子有限公司 |
代理机构 | 北京智宇正信知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 李明卓 |
地址 | 100190北京市海淀区知春路1号学院国际大厦18层1801 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明实施例公开了一种带有片内实时校准的电流采样电路,所述电流采样电路用于对驱动晶体管的导通电流进行检测,其特征在于,该电流采样电路包括第一电阻、第二电阻、电压采样电路、采样电压运算电路和导通电阻校准电路;所述电压采样电路用于获取驱动晶体管的导通压降值Vds;所述导通电阻校准电路包括一标准电流源和一校准晶体管;所述校准晶体管的导通电阻值设置成驱动晶体管的导通电阻值的K1倍;所述电压采样电路获取的驱动晶体管的导通压降值Vds与所述校准晶体管的导通压降值Vrsns被输入采样电压运算电路,从而获得导通压降值Vds与导通压降值Vrsns的比例关系K2;当标准电流源的电流值为Iref时,驱动晶体管的导通电流Ids为:Ids=K1×K2×Iref。 |
