半导体装置
基本信息
| 申请号 | CN201880002603.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109417093B | 公开（公告）日 | 2021-08-31 |
| 申请公布号 | CN109417093B | 申请公布日 | 2021-08-31 |
| 分类号 | H01L29/739;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 阿形泰典;吉村尚;泷下博 | 申请（专利权）人 | 富士电机株式会社 |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 金玉兰;王颖 |
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 提供具有缓冲区的半导体装置。半导体装置具备：第一导电型的半导体基板；第一导电型的漂移层，其设置于半导体基板；以及缓冲区，其设置于漂移层，具有多个第一导电型的掺杂浓度的峰，缓冲区具有：第一峰，其具有预先确定的掺杂浓度，且在多个峰中设置于最靠近半导体基板的背面侧的位置；以及高浓度峰，其具有比第一峰的掺杂浓度高的掺杂浓度，设置于比第一峰靠半导体基板的上表面侧的位置。 |
