半导体装置
基本信息
| 申请号 | CN201610601007.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106548988B | 公开（公告）日 | 2021-09-03 |
| 申请公布号 | CN106548988B | 申请公布日 | 2021-09-03 |
| 分类号 | H01L23/13;H01L23/367;H01L23/373;H05K3/20;H05K7/20;H05K1/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 斋藤隆;百濑文彦;西村芳孝;望月英司 | 申请（专利权）人 | 富士电机株式会社 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 张鑫 |
| 地址 | 日本神奈川县 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明能抑制半导体装置的散热性下降。在半导体装置(100)中，在散热基底(140)的背面形成有多个凹陷，凹陷构成为多个重叠。散热基底(140)的背面的多个凹陷通过对散热基底(140)的背面进行喷丸处理而形成。作为此时的喷丸处理的处理条件，在喷丸材料为SUS304、处理时间为20秒、超声波振幅为70μm时，优选将喷丸材料的平均粒径设为0.3mm～6mm。若在进行了基于上述处理条件的喷丸处理的散热基底(140)的背面隔着导热膏(160)设置散热片(170)，则散热基底(140)的重叠的多个凹陷相对于导热膏(160)的密接性因固着效果而得到提高。 |
