半导体装置
基本信息
| 申请号 | CN201780027139.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109075202B | 公开（公告）日 | 2021-08-31 |
| 申请公布号 | CN109075202B | 申请公布日 | 2021-08-31 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/822;H01L21/8234;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/088;H01L29/739;H01L29/861;H01L29/868 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 内藤达也 | 申请（专利权）人 | 富士电机株式会社 |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 包跃华;金玉兰 |
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 在IGBT的低电流导通时在IGBT的栅极流通的位移电流越大，则IGBT的导通时间变得越短。导通时间越短，则在具有IGBT的半导体装置中dV/dt变得越大，电磁噪声变得越大。提供一种半导体装置，具备半导体基板、发射极区、基区和多个蓄积区，多个蓄积区中的上方蓄积区在与延伸方向和深度方向正交的排列方向上与栅极沟槽部和虚设沟槽部直接接触，多个蓄积区中的距离半导体基板的上表面最远的下方蓄积区具有：栅极附近区域，其在排列方向上与虚设沟槽部相比距离栅极沟槽部更近；以及虚设附近区域，其在排列方向上与栅极沟槽部相比距离虚设沟槽部更近，且具有比栅极附近区域低的第一导电型的掺杂浓度。 |
