半导体装置
基本信息
| 申请号 | CN201780020128.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109075199B | 公开（公告）日 | 2021-08-31 |
| 申请公布号 | CN109075199B | 申请公布日 | 2021-08-31 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/822;H01L21/8234;H01L27/04;H01L27/06;H01L29/12;H01L29/739;H01L29/861;H01L29/868 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 内藤达也 | 申请（专利权）人 | 富士电机株式会社 |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张欣;金玉兰 |
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 如果将具有为发射极电位的导电部的虚设沟槽部相对于栅极沟槽部的比率提高，则集电极‑栅极间电容(以下称为CCG)减小，集电极‑发射极间电容(以下称为CCE)增加。由此，容易产生振荡现象。本发明提供一种半导体装置，包括：第一导电型的半导体基板；第二导电型的基区，其设置于半导体基板内的表面侧；栅极沟槽部，其以从半导体基板的表面起贯穿基区的方式设置在半导体基板内，且具有栅极导电部；以及虚设沟槽部，其以从半导体基板的表面起贯穿基区的方式设置在半导体基板内，且包括上部虚设导电部和下部栅极导电部，所述上部虚设导电部具有发射极电位，所述下部栅极导电部位于上部虚设导电部之下且具有栅极电位，虚设沟槽部的下部栅极导电部与栅极沟槽部的栅极导电部连接。 |
