一种H<sub>2</sub>处理的非晶IGZO透明氧化物薄膜及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种H₂处理的非晶IGZO透明氧化物薄膜及其制备方法

基本信息

申请号	CN201510604284.X	申请日	-
公开（公告）号	CN105185708B	公开（公告）日	2018-01-19
申请公布号	CN105185708B	申请公布日	2018-01-19
分类号	H01L21/324;H01L21/336;H01L29/10;C23C14/08;C23C14/35	分类	基本电气元件;
发明人	宋忠孝;李雁淮;李怡雪;张丹	申请（专利权）人	宁波云涂科技有限公司
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	西安交通大学;宁波云涂科技有限公司
地址	710049 陕西省西安市咸宁西路28号
法律状态	-

摘要

一种H₂处理的非晶IGZO透明氧化物薄膜及其制备方法，该制备方法包括：1)在生长有SiO₂的Si基片上溅射IGZO非晶薄膜，得到生长有IGZO非晶薄膜的硅基片；2)将生长有IGZO非晶薄膜的硅基片利用气氛保护退火管式炉在N₂气氛下350‑450℃保温45‑75分钟，得到非晶IGZO透明氧化物薄膜。本发明制备的非晶IGZO透明氧化物薄膜包括In、Ga、Zn及O四种成分；其中，In的原子数百分含量为18～21％，Ga的原子数百分含量为18～21％，Zn的原子数百分含量为8～10％，O的原子数百分含量为48～56％。本发明由于改变了退火温度，一方面减少薄膜内部缺陷，提高其稳定性；另一方面提高了氧空位的浓度，进而提高载流子浓度，降低器件电阻，提高了IGZO透明薄膜的导电能力。进而在一定程度上提升了器件的运作速度，抗干扰能力。