一种半导体器件表面金属化工艺
基本信息
| 申请号 | CN202110616313.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113584484A | 公开（公告）日 | 2021-11-02 |
| 申请公布号 | CN113584484A | 申请公布日 | 2021-11-02 |
| 分类号 | C23C28/02（2006.01）I;C23C14/16（2006.01）I;C23C14/24（2006.01）I;C23C18/36（2006.01）I;H01L21/285（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 黄亚发;张俊 | 申请（专利权）人 | 江苏东晨电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京思创大成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高爽 |
| 地址 | 214205江苏省无锡市宜兴市新街街道百合工业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件表面金属化工艺，该工艺包括以下步骤：S1、对待金属化的硅片进行表面处理；S2、对表面处理后的硅片进行化学镀镍处理，在硅表面形成镍磷金属层；S3、将带有镍磷金属层的硅片放入高温炉中，通入保护气体进行高温合金，在硅片表面形成合金层；S4、采用蒸发银工艺对带有合金层的硅片进行真空蒸发，在合金层外形成银金属层，完成金属化工艺。本发明通过化学镀和蒸发镀银两者工艺结合，利用化学镀成本低的优势结合上蒸发工艺环境污染小，表面金属稳定性好，安全生产风险低等优势来实现半导体器件表面金属化。 |
