一种具有终端保护结构的功率器件制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201911024199.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110931360A | 公开（公告）日 | 2020-03-27 |
| 申请公布号 | CN110931360A | 申请公布日 | 2020-03-27 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L29/06;H01L21/265 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 钱梦亮;张俊 | 申请（专利权）人 | 江苏东晨电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京思创大成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 尹慧晶 |
| 地址 | 214205 江苏省无锡市宜兴市新街街道百合工业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种具有终端保护结构的功率器件制备方法，该器件的中心有源区由并联的单胞阵列组成，中心有源区的外围设有终端保护区，终端保护区设有终端保护环，且在邻近的终端保护环之间插入有P阱条。本发明的功率器件采用场限环结合P阱条的保护环结构，可以提高终端保护效率，减小器件终端结构所占面积，从而使得器件的制造成本降低，成品率提高，并且其对寄生电荷的敏感程度也得到了改善。 |
