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微型超低电容固体放电管及其制备方法

基本信息

申请号	CN201911157310.3	申请日	-
公开（公告）号	CN110783399A	公开（公告）日	2020-02-11
申请公布号	CN110783399A	申请公布日	2020-02-11
分类号	H01L29/74;H01L29/08	分类	基本电气元件;
发明人	陈俊标;苏亮;沈一舟	申请（专利权）人	江苏东晨电子科技有限公司
代理机构	北京思创大成知识产权代理有限公司	代理人	尹慧晶
地址	214205 江苏省无锡市宜兴市新街街道百合工业园
法律状态	-

摘要

一种微型超低电容固体放电管及其制备方法，该固体放电管的上面设有硼基区P，该硼基区P单侧设置有部分交叠的磷扩散埋层N‑，在所述硼基区P内布置有第一磷扩散区N+，在所述第一磷扩散区N+内布置有若干个短路孔形成元胞式阴极；在所述固体放电管的下面布置有一个硼区P和一个第二磷扩散区N+，前述硼区P和第二磷扩散区N+间隔设置，形成单向芯片阳极结构。本发明在原低电容结构设计基础上，在阴极增加了N‑埋层，使每个元胞阴极的热沉增长，从而在相同芯片面积的基础上增加通流能力。下面采用硼区和第二磷扩散区N+对称式布局，消除了单项放电管的反向压降，基于该设计，原芯片面积可进行缩减，进而减小PN结面积，大幅度降低结电容。