一种雪崩耐量增强型的VDMOS器件结构及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201711480764.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108281486B | 公开（公告）日 | 2021-04-02 |
| 申请公布号 | CN108281486B | 申请公布日 | 2021-04-02 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 朱旭强;张俊;孙旭峰 | 申请（专利权）人 | 江苏东晨电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京思创大成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王尧 |
| 地址 | 214205江苏省无锡市宜兴市新街街道百合工业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种雪崩耐量增强型的VDMOS器件结构及其制作方法，属于功率半导体器件技术领域，包括：漏区；位于漏区上的外延层；位于外延层内的第一调整区和第二调整区；位于第一调整区内的第一阱区以及嵌入在所述第一阱区中的源区；位于第二调整区的第二阱区；位于所述第一阱区内的横向沟道；位于所述外延层上的栅氧化层，位于所述栅氧化层上的多晶硅层；位于多晶硅层上的介质层；位于所述第一阱区和第二阱区上的接触孔区；位于所述接触孔上方的金属电极区。本发明通过在普通VDMOS元胞结构中引入不含源区的第二P阱区，并通过第二调整区的控制，定向引导雪崩击穿发生的位置及电流路径，有效提高了器件的雪崩耐量。 |
